[发明专利]一种晶硅电池的钝化结构及其制备方法

摘要

本申请公开了一种晶硅电池的钝化结构，涉及晶硅电池的技术领域，包括硅片，所述硅片的背侧面做抛光处理，所述硅片抛光处理的一侧制备有遂穿氧化层，所述遂穿氧化层的背侧面上制备有第一I‑Si:H本征层，所述I‑Si:H本征层的背侧面制备有第一含磷多晶硅层，所述第一含磷多晶硅层的背侧面上制备有减反射膜层。通过在遂穿氧化层和第一含磷多晶硅层之间添加有第一本征层，可以提升晶硅电池背侧面的钝化效果，提升晶硅电池的综合性能。