[发明专利]一种高槽深金属凹槽线性阵列太赫兹超材料及其制备方法在审
| 申请号： | 202111268280.0 | 申请日： | 2021-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN114002766A | 公开（公告）日： | 2022-02-01 |
| 发明（设计）人： | 施婷婷;王帅;杨立娟;杨广青 | 申请（专利权）人： | 闽江学院 |
| 主分类号： | G02B5/00 | 分类号： | G02B5/00;B81B1/00;B81C1/00 |
| 代理公司： | 福州元创专利商标代理有限公司 35100 | 代理人： | 陈明鑫;蔡学俊 |
| 地址： | 350108 福建省*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种高槽深金属凹槽线性阵列太赫兹超材料及其制备方法。以双面抛光硅片为基底材料，以Au为作为溅射材料，采用通过光刻、深硅刻蚀和磁控溅射镀膜等多种微加工工艺相结合的方法制备高槽深金属凹槽线性阵列太赫兹超材料。该高槽深金属凹槽线性阵列太赫兹超材料，宽度为30μm，深度分别为30μm，60μm和90μm，镀膜厚度为600nm。本发明制得的高槽深金属凹槽线性阵列太赫兹超材料，结构稳定，共振频率可调性强，能够支持高品质因子的太赫兹表面等离子体共振模式，解决了飞秒激光直写技术难以实现高深宽比金属表面结构的精确加工难题，且制备方法简单，原料廉价易得，有利于大规模的工业化生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高槽深 金属 凹槽 线性 阵列 赫兹 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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