[发明专利]不含氧化铬和氧化硅高性能ZnO压敏电阻的制备方法及ZnO压敏电阻在审
| 申请号： | 202110949933.5 | 申请日： | 2021-08-18 |
| 公开（公告）号： | CN113651610A | 公开（公告）日： | 2021-11-16 |
| 发明（设计）人： | 裴广强;叶雯;张鹏 | 申请（专利权）人： | 西安神电（泾阳）电器有限公司;西安神电电器有限公司 |
| 主分类号： | C04B35/453 | 分类号： | C04B35/453;C04B35/622;C04B35/632;C04B41/90;H01C7/112 |
| 代理公司： | 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 | 代理人： | 王杨洋 |
| 地址： | 713708*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： |
本发明涉及一种不含氧化铬和氧化硅高性能ZnO压敏电阻及其制备方法，其目的是解决现有ZnO压敏电阻电位梯度较低，在高浪涌冲击下通流能力弱，且二者不能同时提高的技术问题。由于氧化铬和氧化硅的价格均高于氧化锌，本发明去除了ZnO压敏电阻原料中的氧化铬和氧化硅，并寻找到了一个无氧化铬和氧化硅掺杂的原料配比以降低生产成本，通过减少组分和设置特定含量的方式，实现了电位梯度和通流能力的同时提高，所制备的无氧化铬和氧化硅掺杂的ZnO压敏电阻，稳定性较好，电位梯度提高到了220～240V/mm，10kA 8/20μs雷电波残压比范围为1.75～1.80，方波和4/10大电流通流能力强，还可通过重复转移电荷0.5C测试，能量吸收参数达到280～300J/cm |
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| 搜索关键词： | 氧化铬 氧化 性能 zno 压敏电阻 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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