[发明专利]一种低介电常数聚酰亚胺薄膜的制备方法有效
| 申请号： | 202110903514.8 | 申请日： | 2021-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN113549235B | 公开（公告）日： | 2023-07-21 |
| 发明（设计）人： | 李科;黄丙亮;彭明云 | 申请（专利权）人： | 四川轻化工大学 |
| 主分类号： | C08J5/18 | 分类号： | C08J5/18;C08L79/08;C08K9/06;C08K7/26 |
| 代理公司： | 湖北唯迈知识产权代理事务所(普通合伙) 42314 | 代理人： | 王继云 |
| 地址： | 643000 四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种低介电常数聚酰亚胺薄膜的制备方法，所述的低介电常数聚酰亚胺薄膜的制备方法为：在聚酰亚胺基体中加入表面接氟的介孔二氧化硅形成复合材料，一方面加入中空填料引入空气可以降低薄膜的介电常数，除此之外，表面的氟元素具有强的吸电子效应，也会降低聚酰亚胺薄膜的离散电子能级，可以进一步降低聚酰亚胺复合薄膜的介电常数。使得复合薄膜的介电常数最低可降至2.6左右，并且薄膜的热性能并没有出现显著的降低，本发明方法简单可行且经济成本低，在电子和微电子行业具有广阔的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 介电常数 聚酰亚胺 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
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