[发明专利]一种基于共插层精确调控层间距的MXene膜制备方法在审

专利信息
申请号: 202110879117.1 申请日: 2021-07-28
公开(公告)号: CN113457464A 公开(公告)日: 2021-10-01
发明(设计)人: 唐晓旻;向靖 申请(专利权)人: 重庆工商大学
主分类号: B01D67/00 分类号: B01D67/00;B01D69/02;B01D71/02
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 400067 *** 国省代码: 重庆;50
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摘要: 发明公开了一种基于共插层精确调控层间距的MXene膜制备方法,该方法是以单层或少层MXene纳米片溶液为原料,氢氧化钠为插层剂,丁二酸为交联剂,尼龙膜(Nylon6)为基膜;先将一定体积和浓度的MXene纳米片溶液超声分散均匀,再将MXene纳米片溶液真空抽滤到聚多巴胺(PDA)涂覆的Nylon6基材(PDA/Nylon6)上即得MXene膜,然后将MXene膜在浓度为0.1~1.0mol/L的氢氧化钠和0.1~1.0mol/L丁二酸的混合溶液中浸泡0.5~1h,最后将MXene膜在70~80℃真空烘箱中加热1~2h,即得基于共插层精确调控层间距的MXene膜。本发明制备方法简单,所得的MXene膜的层间距在6Å左右,拥有扩大的纳米通道和抗溶胀的特点,且具有较高的截留率和稳定性,可以用于海水淡化、硬水软化、污水净化以及气体分离等领域,具有良好的应用潜力。
搜索关键词: 一种 基于 共插层 精确 调控 间距 mxene 制备 方法
【主权项】:
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