[发明专利]宽带SiGe BiCMOS低噪声放大器有效
| 申请号： | 202110790736.3 | 申请日： | 2021-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN113746441B | 公开（公告）日： | 2023-10-20 |
| 发明（设计）人： | 梁煜;郭斐;张为 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | H03F1/56 | 分类号： | H03F1/56;H03F1/26;H03F1/42 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人： | 程毓英 |
| 地址： | 300072*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种宽带SiGe BiCMOS低噪声放大器，包括第一级密勒电容宽带匹配电路和后级共基共射放大电路，其特征在于，所述第一级密勒电容宽带匹配电路，其输入端接收信号输入端的信号IN，将射频信号放大后经过极间电容输出到后级共基共射放大电路；所述密勒电容宽带匹配电路包括：第一晶体管Q1，第一电阻R1，第一电感L1，第二电感L2，第一电容C1和第二电容C2；其中，所述第一晶体管Q1的基极与第一电容C1的第一端连接；所述第一晶体管Q1的集电极分别与第一电感L1的第一端、第二电容C2的第一端连接；所述第一晶体管Q1的发射极与第二电感L2的第一端连接；所述第一电阻R1与第一电感L1的第二端连接。 | ||
| 搜索关键词： | 宽带 sige bicmos 低噪声放大器 | ||
【主权项】：
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