[发明专利]一种石墨烯非晶氧化镓薄膜的日盲紫外探测器有效
申请号: | 202110689084.4 | 申请日: | 2021-06-22 |
公开(公告)号: | CN113410330B | 公开(公告)日: | 2022-07-22 |
发明(设计)人: | 王顺利;胡海争;郭道友;吴超;刘爱萍 | 申请(专利权)人: | 金华紫芯科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/103 | 分类号: | H01L31/103;H01L31/032;H01L31/0224;H01L31/20;H05K1/18;H05K3/30 |
代理公司: | 杭州敦和专利代理事务所(普通合伙) 33296 | 代理人: | 姜术丹 |
地址: | 321000 浙江省金华市金*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明公开了一种石墨烯非晶氧化镓薄膜的日盲紫外探测器及其制备方法,可实现对波长小于280nm的日盲紫外光的有效探测,广泛应用于杀菌消毒紫外线监测、高压电弧紫外线监测以及电气火灾紫外线监测等领域。探测器以聚酰亚胺薄膜为衬底,通过激光诱导在衬底上原位制备石墨烯电极,然后通过磁控溅射法在石墨烯电极上方沉积一层非晶氧化镓薄膜,作为光探测材料,最后将衬底集成在PCB电路板上,其中,石墨烯电极嵌入于聚酰亚胺薄膜衬底中,与衬底结合紧密;非晶氧化镓薄膜位于石墨烯电极上方,石墨烯电极形状可以任意设计,并通过激光诱导原位生成,不需要掩膜版、光刻、刻蚀等复杂工艺,工艺简单,成本低,适合大规模量产。 | ||
搜索关键词: | 一种 石墨 烯非晶 氧化 薄膜 紫外 探测器 | ||
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的