[发明专利]一种氧化硅钝化层的制备方法

摘要

本发明公开了一种氧化硅钝化层的制备方法，本发明属于晶体材料加工技术领域，针对目前异质钝化的效果并不理想，通过氧化方式获得的钝化层劣化器件性能的问题，本发明首先通过HF处理去除寄生氧化层，通过在装有去离子水和表面活性剂混合溶液的透明槽体中使用臭氧、超声和紫外光照射的共同作用下实现硅片表面产生预氧化层，然后提高光功率密度，使硅片表面产生高质量氧化硅钝化层，完成氧化硅钝化层的制备，该方法可精确控制氧化层厚度、组分等关键特性，实现优异的钝化效果。