[发明专利]一种制备钙钛矿薄膜的方法及应用在审
| 申请号： | 202110659467.7 | 申请日： | 2021-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN113410397A | 公开（公告）日： | 2021-09-17 |
| 发明（设计）人： | 姚建铨;唐新;李腾腾;李庆岩;赵宏亮;王思磊;李梦瑶 | 申请（专利权）人： | 南方科技大学 |
| 主分类号： | H01L51/48 | 分类号： | H01L51/48;H01L51/46;H01L51/42 |
| 代理公司： | 郑州优盾知识产权代理有限公司 41125 | 代理人： | 王红培 |
| 地址： | 518000 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种制备钙钛矿薄膜的方法及应用，步骤如下：S1：制备钙钛矿前驱液；S2：在钙钛矿前驱液旋涂过程中滴加预热处理后的叔丁醇反溶剂；S3：依次进行热退火和溶剂退火处理得到钙钛矿薄膜。本发明引入低毒性环保型试剂——叔丁醇，作为在空气环境（相对湿度在10‑30%范围内）制备钙钛矿的反溶剂，可以减少在成核过程中空气水分对钙钛矿的分解作用，改善钙钛矿薄膜的结晶状况，结合预热处理和溶剂退火工艺的优化过程，最终形成均匀、光滑、无针孔、呈镜面的高质量钙钛矿薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 钙钛矿 薄膜 方法 应用 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南方科技大学，未经南方科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110659467.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
