[发明专利]一种利用分子束外延制备雪崩光电二极管的方法

摘要

本发明提供一种利用分子束外延制备雪崩光电二极管的方法，涉及半导体制造技术领域。该方法包括：在InP衬底上依次沉积生长N+‑InP层、N+‑InAlAs层、InAlAs倍增层和P‑InAlAs电荷层；在电荷层上沉积生长InAlGaAs渐变层，在沉积生长渐变层的过程中，铝源炉和镓源炉中的一者采用变温方式提供对应的分子束，另一者采用脉冲方式提供对应的分子束；在渐变层上沉积生长InGaAs吸收层。通过在沉积生长渐变层的过程中，铝源炉和镓源炉中的一者采用变温方式提供对应的分子束，另一者采用脉冲方式提供对应的分子束，能够实现性能满足需要的渐变层，避免了繁琐复杂的四元系材料校准程序，降低了生产成本。