[发明专利]一种防铜害的二步法硅烷交联聚乙烯绝缘料及其制备方法有效
| 申请号： | 202110595532.4 | 申请日： | 2021-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN113817257B | 公开（公告）日： | 2023-07-25 |
| 发明（设计）人： | 丁成;刘雄军;李斌;凌国桢;狄洪杰 | 申请（专利权）人： | 江苏上上电缆集团新材料有限公司;江苏上上电缆集团有限公司 |
| 主分类号： | C08L23/08 | 分类号： | C08L23/08;C08L23/06;C08L23/12;C08L51/06;C08K5/134;C08K5/526;C08K5/3475;H01B3/44 |
| 代理公司： | 南京科阔知识产权代理事务所(普通合伙) 32400 | 代理人： | 苏兴建 |
| 地址： | 213399 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种防铜害的二步法硅烷交联聚乙烯绝缘料及其制备方法，防铜害的二步法硅烷交联聚乙烯绝缘料的原料配方包括硅烷接枝料A组份和催化剂母粒B组份，硅烷接枝料A组份包括以下重量份数的组分：线性低密度聚乙烯40‑100份；茂金属聚乙烯40‑100份；聚丙烯10‑30份；硅烷交联剂1‑3份；引发剂0.3‑1份；第一抗氧剂0.1‑2份；催化剂母粒B组份包括以下重量份数的组分：线性低密度聚乙烯80‑100份；催化剂1‑2份；润滑剂5‑10份；第二抗氧剂1份；抗铜剂0.05‑1份；防腐蚀剂0.5‑1份。本发明绝缘料的耐老化性能提升显著，且能够有效的防止铜导体变色氧化，正常水煮结束后，导体依然光亮，无腐蚀现象；制备工艺简单，效率高，副反应小，能耗低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 防铜害 步法 硅烷 交联 聚乙烯 绝缘 料及 制备 方法 | ||
【主权项】：
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