[发明专利]一种焦平面探测器及其铟球阵列制备方法有效
申请号: | 202110593418.8 | 申请日: | 2021-05-28 |
公开(公告)号: | CN113314556B | 公开(公告)日: | 2022-02-15 |
发明(设计)人: | 不公告发明人 | 申请(专利权)人: | 北京智创芯源科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 王晓坤 |
地址: | 100095 北京市大兴区北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本申请公开了焦平面探测器及其铟球阵列制备方法,该方法包括获得上表面分布有光刻胶和第一金属层的预处理读出电路芯片;光刻胶对应输入级像元以外的区域,第一金属层覆盖光刻胶和输入级像元;在第一金属层对应输入级像元的区域形成台状体介质膜层,得到处理后读出电路芯片;台状体介质膜层的顶部呈平面状、侧面呈倾斜表面且底部尺寸小于输入级像元尺寸;在处理后读出电路芯片的上表面制备第二金属层;第二金属层与第一金属层相连;在第二金属层的表面制备铟膜层,并去除光刻胶以及与光刻胶对应的第一金属层、第二金属层、铟膜层;将台状体介质膜层倒置于起球液中使铟膜层在台状体介质膜层的顶部形成铟球,以得到铟球阵列,铟球的大小、高度均匀。 | ||
搜索关键词: | 一种 平面 探测器 及其 阵列 制备 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的