[发明专利]一种焦平面探测器及其铟球阵列制备方法有效

专利信息
申请号: 202110593418.8 申请日: 2021-05-28
公开(公告)号: CN113314556B 公开(公告)日: 2022-02-15
发明(设计)人: 不公告发明人 申请(专利权)人: 北京智创芯源科技有限公司
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 王晓坤
地址: 100095 北京市大兴区北*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 本申请公开了焦平面探测器及其铟球阵列制备方法,该方法包括获得上表面分布有光刻胶和第一金属层的预处理读出电路芯片;光刻胶对应输入级像元以外的区域,第一金属层覆盖光刻胶和输入级像元;在第一金属层对应输入级像元的区域形成台状体介质膜层,得到处理后读出电路芯片;台状体介质膜层的顶部呈平面状、侧面呈倾斜表面且底部尺寸小于输入级像元尺寸;在处理后读出电路芯片的上表面制备第二金属层;第二金属层与第一金属层相连;在第二金属层的表面制备铟膜层,并去除光刻胶以及与光刻胶对应的第一金属层、第二金属层、铟膜层;将台状体介质膜层倒置于起球液中使铟膜层在台状体介质膜层的顶部形成铟球,以得到铟球阵列,铟球的大小、高度均匀。
搜索关键词: 一种 平面 探测器 及其 阵列 制备 方法
【主权项】:
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