[发明专利]一种可产生单脉冲γ射线的辐射装置有效

专利信息
申请号: 202110504335.7 申请日: 2021-05-10
公开(公告)号: CN113238279B 公开(公告)日: 2023-05-12
发明(设计)人: 唐智辉;韦应靖;以恒冠;冯梅;方登富;张庆利;黄亚雯;崔伟;李志刚 申请(专利权)人: 中国辐射防护研究院
主分类号: G01T7/00 分类号: G01T7/00;G01T7/12
代理公司: 北京天悦专利代理事务所(普通合伙) 11311 代理人: 田明;杨方
地址: 030006 山*** 国省代码: 山西;14
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摘要: 发明公开了可产生单脉冲γ射线的辐射装置,包括:长方体形的铅屏蔽体,所述铅屏蔽体内设有导管,所述导管内在储源端放置有放射源,在所述导管的另一端放置有减速缓冲体,所述导管在所述储源端与所述气体传动装置连接,所述气体传动装置与所述移动气源连接,所述铅屏蔽体较长的面上设有射线出射口。本发明通过对放射源施加运动特性,构建能够产生脉冲宽度和剂量特性等满足要求的单脉冲γ射线,形成单脉冲γ射线辐射场,以此来校准测量单脉冲γ射线的测量仪器。
搜索关键词: 一种 产生 脉冲 射线 辐射 装置
【主权项】:
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