[发明专利]一种单通道忆阻器及其制备方法有效
| 申请号： | 202110471425.0 | 申请日： | 2021-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN113285020B | 公开（公告）日： | 2022-07-05 |
| 发明（设计）人： | 孙华军;王涛;白娜;缪向水 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 许恒恒 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明属于微电子器件技术领域，公开了一种单通道忆阻器及其制备方法，该单通道忆阻器包括由第一功能层(1)和第二功能层(2)堆叠形成的功能层；其中，第一功能层所采用的第一忆阻材料，与第二功能层所采用的第二忆阻材料之间，存在晶格失配，且晶格失配度不低于5％；由此基于电压作用，在第一功能层和第二功能层的界面上将能够形成导电丝，从而实现单通道忆阻功能。本发明设置第一功能层和第二功能层，利用界面不匹配的、接近完美晶格的忆阻材料界面处形成的空位、悬挂键等缺陷，构建导电细丝，从而将导电细丝限制在界面处，形成单通道的导电细丝，单通道的导电丝的形貌和通断位置相对固定，因此可以解决忆阻器件的一致性问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 通道 忆阻器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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