[发明专利]单片湿法清洗机台的防反蚀的刻蚀方法在审
| 申请号： | 202110458527.9 | 申请日： | 2021-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN113223931A | 公开（公告）日： | 2021-08-06 |
| 发明（设计）人： | 陈裕;谭秀文 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/67;B08B3/02;B08B3/08 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种单片湿法清洗机台的防反蚀的刻蚀方法，包括：步骤一、将晶圆固定卡置在卡置装置上，晶圆的边缘和顶针接触；步骤二、卡置装置旋转并带动晶圆旋转；步骤三、供液喷嘴将清洗液喷射到晶圆的第一表面进行刻蚀；刻蚀中调节供液喷嘴的喷射位置来实现防反蚀，包括：供液喷嘴的喷射位置在喷射区间内来回移动；喷射区间的圆心和晶圆的圆心重合；喷射区间的边缘到晶圆的边缘之间形成清洗液的加速区间，加速区间的宽度保证所有清洗液通过旋转加速达到晶圆的边缘时具有完全脱离顶针的速度。本发明能在单片湿法刻蚀中出现反蚀，能保证刻蚀均一性，降低破片风险以及提高容错率。 | ||
| 搜索关键词： | 单片 湿法 清洗 机台 防反 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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