[发明专利]一种适用于纳米级CMOS工艺的低功耗基准电压源有效
| 申请号： | 202110449316.9 | 申请日： | 2021-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN113110679B | 公开（公告）日： | 2022-05-20 |
| 发明（设计）人： | 代晶 | 申请（专利权）人： | 广东宝元通检测股份有限公司 |
| 主分类号： | G05F1/567 | 分类号： | G05F1/567 |
| 代理公司： | 安徽盟友知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 34213 | 代理人： | 周荣 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市龙岗区*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种适用于纳米级CMOS工艺的低功耗基准电压源，其包括补偿电流产生电路和基准电压产生电路；通过电路结构设置，电路中的MOS管均工作于弱反型区，降低了电路对工作电压的需求，实现了电路工作的低功耗。本发明通过一阶电流及二阶电流补偿技术，使电路中工作于弱反型区的MOS管的栅源极电压基本不受温度变化及工艺偏差的影响，并将其作为基准电压输出，有效减低了电路输出基准电压的温度系数。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 适用于 纳米 cmos 工艺 功耗 基准 电压 | ||
【主权项】：
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