[发明专利]一种改善Eflash Cell区字线顶部氧化层被损坏的方法

摘要

本发明提供一种改善Eflash Cell区字线顶部氧化层被损坏的方法，硅基底上cell区的一侧设有外围区；cell区设有多个相互间隔的浮栅多晶硅结构，浮栅多晶硅结构被PEOX层覆盖；PEOX层被TEOS层覆盖；覆盖在每个浮栅多晶硅结构上的TEOS层彼此之间的空隙形成沟槽；外围区设有多晶硅层、位于多晶硅层上的PEOX层以及位于PEOX层上的TEOS层；在cell区和外围区形成覆盖TEOS层的第一BARC层；第一BARC层填充于cell区之间的沟槽；刻蚀第一BARC层，直至cell区之间的沟槽中的第一BARC层的厚度为为止；在cell区和外围区先后形成第二BARC层和光刻胶；对外围区进行光刻形成栅极。本发明可改善字线顶部被损坏的风险，使得多晶硅刻蚀后字线上氧化层作为保护层，其厚度对于刻蚀外围区更安全。