[发明专利]离子注入角度的监测方法及校正方法有效
| 申请号： | 202110407565.1 | 申请日： | 2021-04-15 |
| 公开（公告）号： | CN113130310B | 公开（公告）日： | 2023-04-28 |
| 发明（设计）人： | 冯木材;朱上进 | 申请（专利权）人： | 粤芯半导体技术股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265;H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海思捷知识产权代理有限公司 31295 | 代理人： | 罗磊 |
| 地址： | 510000 广东省广州*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种离子注入角度的监测方法及校正方法，其中，所述离子注入角度的监测方法包括：选取至少两片测试晶圆；以第一角度对至少一片所述测试晶圆执行离子注入，以第二角度对至少一片所述测试晶圆执行离子注入；测量每片所述测试晶圆的特征值；根据所述特征值，并参照标准曲线，计算出离子注入偏差角度。由此可见，本发明能够实现利用两片测试晶圆即可完成高精度的离子注入偏差角度的监测。相较于“五点法”，本发明的监测成本低，且操作简单。相较于“单点法”，本发明的监测精度高，可靠性强。因此，本发明不但能够实现高精度的离子注入角度的监测，而且能够降低测试成本及操作复杂度，可实施性强。 | ||
| 搜索关键词： | 离子 注入 角度 监测 方法 校正 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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