[发明专利]低1/f噪声探测器及其像元以及降低非制冷探测器1/f噪声的方法有效
| 申请号： | 202110339272.4 | 申请日： | 2021-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN113252184B | 公开（公告）日： | 2023-04-18 |
| 发明（设计）人： | 黄立;蔡光艳;马占锋;汪超;王春水;高健飞;黄晟 | 申请（专利权）人： | 武汉高芯科技有限公司 |
| 主分类号： | G01J5/20 | 分类号： | G01J5/20;G01J5/48 |
| 代理公司： | 北京汇泽知识产权代理有限公司 11228 | 代理人： | 胡建文 |
| 地址： | 430205 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种低1/f噪声探测器像元及采用该像元的非制冷探测器，该像元包括衬底和有效元，有效元包括桥面层，桥面层包括自上而下层设的顶面吸收层和多层热敏感层，相邻两层热敏感层之间通过绝缘层分隔，各热敏感层联接形成有效元电阻结构，有效元电阻结构的阻值与有效元设计阻值匹配。另外还涉及一种降低非制冷探测器1/f噪声的方法，包括：对非制冷探测器的至少部分像元进行降噪处理，对像元的降噪处理包括增大其有效元的敏感材料电阻有效面积；和/或，增大盲元的敏感材料电阻有效面积，以对盲元进行降噪处理。本发明通过增加热敏感层数量，在满足探测器设计要求的前提下，可以增大有效元的敏感材料电阻有效面积，达到对像元和探测器降噪的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 噪声 探测器 及其 以及 降低 制冷 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉高芯科技有限公司，未经武汉高芯科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110339272.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
