[发明专利]基于小波边界元模型的二维正方晶格光子晶体带隙设计方法有效
| 申请号： | 202110335850.7 | 申请日： | 2021-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN113031263B | 公开（公告）日： | 2022-10-14 |
| 发明（设计）人： | 向家伟;魏琦 | 申请（专利权）人： | 温州大学 |
| 主分类号： | G02B27/00 | 分类号： | G02B27/00;G06F30/20;G06F17/16 |
| 代理公司： | 温州名创知识产权代理有限公司 33258 | 代理人： | 陈加利 |
| 地址： | 325000 浙江省温州市瓯海*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于小波边界元模型的二维正方晶格光子晶体带隙设计方法，包括：S1:将区间B样条小波与边界元法相结合，用BSWI尺度函数取代传统边界元的多项式插值，结合单胞技术，获得了二维正方晶格光子晶体基体与散射体统一的离散化边界积分方程形式，进而获得代数方程组；S2:根据步骤S1得到的代数方程组，在频率域内，结合Bloch定理以及基体与散射体间的连续性条件，进一步建立二维正方晶格光子晶体带隙特性计算模型；S3:通过调整二维正方晶格光子晶体基体或散射体尺寸，获得所需要的带隙特性，最终完成二维正方晶格光子晶体带隙设计。本发明的方法既兼有边界元方法降维的特性，又具备小波多尺度逼近的优势，适合于二维正方晶格光子晶体带隙设计。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 边界 模型 二维 正方 晶格 光子 晶体 设计 方法 | ||
【主权项】：
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