[发明专利]一种铟镓氮量子点及其制备方法与应用有效
| 申请号： | 202110332519.X | 申请日： | 2021-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN113113287B | 公开（公告）日： | 2023-07-18 |
| 发明（设计）人： | 汪莱;王磊;余鹿鸣;郝智彪;罗毅 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L33/00;H01L33/06;H01L33/32 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 韩蕾;姚亮 |
| 地址： | 10008*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种铟镓氮量子点及其制备方法与应用。该制备方法包括：利用MOCVD法在外延衬底上形成InGaN薄膜；循环重复步骤a、步骤b或者循环重复步骤b、步骤a，得到InGaN量子点层；其中，步骤a为中断氮源和金属源；步骤b为通入氮源和/或金属源。本发明还提供了上述制备方法得到的铟镓氮量子点。本发明进一步提供了上述铟镓氮量子点在制备高调制速度发光二极管、长波长LED、激光器、mini‑LED、micro‑LED、蓝光LED、绿光LED、红光LED等中的应用。本发明提供的铟镓氮量子点生长密度高、尺寸小且均匀、发光波段宽、发光效率高、载流子寿命短，适用于高速发光光源的制备，具有广阔应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 铟镓氮 量子 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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