[发明专利]石墨基板有效
申请号: | 202110324243.0 | 申请日: | 2021-03-26 |
公开(公告)号: | CN113278953B | 公开(公告)日: | 2022-06-17 |
发明(设计)人: | 葛永晖;梅劲;刘春杨;陈张笑雄;丁涛 | 申请(专利权)人: | 华灿光电(苏州)有限公司 |
主分类号: | C23C16/458 | 分类号: | C23C16/458;H01L21/673;H01L33/00 |
代理公司: | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人: | 吕耀萍 |
地址: | 215600 江苏省苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本公开提供了一种石墨基板,属于半导体技术领域。所述石墨基板为圆盘,其特征在于,所述石墨基板的外周壁上具有多个环形凹槽,所述多个环形凹槽与所述石墨基板同轴,且所述多个环形凹槽沿所述石墨基板的轴向间隔布置在所述石墨基板的上表面和下表面之间,相邻两个所述环形凹槽之间形成一个格栅,每个所述格栅均为圆环结构。在本公开提供的石墨基板上生长外延片,可以使得外延片各个区域的发光波长一致,从而可以提高外延片的片内均匀性,保证边缘良率。 | ||
搜索关键词: | 石墨 | ||
【主权项】:
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的