[发明专利]基于磁导率的磁流变阻尼器件沉降磁流变液浓度测量方法在审
申请号: | 202110296222.2 | 申请日: | 2021-03-19 |
公开(公告)号: | CN113109745A | 公开(公告)日: | 2021-07-13 |
发明(设计)人: | 刘忠强;张红辉;廖昌荣;苏杭 | 申请(专利权)人: | 重庆大学 |
主分类号: | G01R33/12 | 分类号: | G01R33/12;G01N27/74 |
代理公司: | 重庆缙云专利代理事务所(特殊普通合伙) 50237 | 代理人: | 王翔 |
地址: | 400044 *** | 国省代码: | 重庆;50 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: |
本发明公开基于磁导率的磁流变阻尼器件沉降磁流变液浓度测量方法,步骤为:1)布置测试磁路结构;所述测试磁路结构具有激励线圈5和感测线圈;2)计算测试磁路结构中感测线圈的磁路总磁阻R |
||
搜索关键词: | 基于 磁导率 流变 阻尼 器件 沉降 浓度 测量方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于重庆大学,未经重庆大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202110296222.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。