[发明专利]基于磁导率的磁流变阻尼器件沉降磁流变液浓度测量方法在审

专利信息
申请号: 202110296222.2 申请日: 2021-03-19
公开(公告)号: CN113109745A 公开(公告)日: 2021-07-13
发明(设计)人: 刘忠强;张红辉;廖昌荣;苏杭 申请(专利权)人: 重庆大学
主分类号: G01R33/12 分类号: G01R33/12;G01N27/74
代理公司: 重庆缙云专利代理事务所(特殊普通合伙) 50237 代理人: 王翔
地址: 400044 *** 国省代码: 重庆;50
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摘要: 发明公开基于磁导率的磁流变阻尼器件沉降磁流变液浓度测量方法,步骤为:1)布置测试磁路结构;所述测试磁路结构具有激励线圈5和感测线圈;2)计算测试磁路结构中感测线圈的磁路总磁阻Rm;3)利用交流电源向磁路的激励线圈施加小幅值交变电流i(t);4)计算感测线圈的互感电动势;5)计算感测间隙中磁流变液的相对磁导率μm。本发明通过在阻尼器内缸底部布置测试磁路结构,基于互感变压器式传感原理,能够实时检测并计算出阻尼器中磁流变液的相对磁导率,从而为确定和判断磁流变阻尼器件内部磁流变液的沉降状态提供重要依据。
搜索关键词: 基于 磁导率 流变 阻尼 器件 沉降 浓度 测量方法
【主权项】:
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