[发明专利]一种R-T-B磁体及其制备方法有效
| 申请号： | 202110286519.0 | 申请日： | 2021-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN112992460B | 公开（公告）日： | 2023-04-14 |
| 发明（设计）人： | 牟维国;黄佳莹 | 申请（专利权）人： | 福建省长汀金龙稀土有限公司 |
| 主分类号： | H01F1/057 | 分类号： | H01F1/057;H01F1/055;H01F41/02 |
| 代理公司： | 上海弼兴律师事务所 31283 | 代理人： | 王卫彬;邹玲 |
| 地址： | 366300 福建*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种R‑T‑B磁体及其制备方法。该R‑T‑B磁体包括以下组分：R：≥29wt.％，所述R为稀土元素，所述R含有Nd；所述Nd≥22wt.％；Ti+Nb：0.2～0.75wt.％；Cu：0.05～0.45wt.％；B：0.955～1.15wt.％；Fe：58～69wt.％；wt.％为各组分的质量与各组分总质量的比；所述Ti与所述Nb的质量比为(1～5)：1。本发明进一步优化了R‑T‑B磁体中添加元素之间的配合关系，采用该配方能够制备得到较高的剩磁、矫顽力和方形度等磁性能均较佳的R‑T‑B磁体。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 磁体 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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