[发明专利]一种高导热自支撑垂直取向石墨烯薄膜的制备方法在审
| 申请号： | 202110274648.8 | 申请日： | 2021-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN113148986A | 公开（公告）日： | 2021-07-23 |
| 发明（设计）人： | 杨凯;胡磊;朱宇灿;万中全;贾春阳 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | C01B32/184 | 分类号： | C01B32/184;C01B32/194 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 一种高导热自支撑垂直取向石墨烯薄膜的制备方法，包括：1)制备氧化石墨烯分散液；2)将长链烃基磺酸、改性单壁碳纳米管、非离子表面活性剂加入氧化石墨烯分散液中，搅拌，超声；3)在外加磁场的作用下，以上述混合液作为电沉积液，采用电化学沉积法沉积氧化石墨烯；4)冰冻、冷冻干燥，腐蚀掉基体，石墨化处理，得到垂直取向的石墨烯膜；5)压膜。本发明得到的垂直取向的石墨烯膜层可有效地加速纵向导热，具有优异的导热性；通过在电化学沉积液中添加长链烃基磺酸，有效降低了氧化石墨烯的表面能，使石墨烯能垂直排列，同时，薄膜沉积厚度可控，导热性显著提升，易于实现规模化生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 导热 支撑 垂直 取向 石墨 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
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