[发明专利]诱导锂金属负极优先横向沉积的铜基集流体及其制备方法与应用在审
| 申请号： | 202110264303.4 | 申请日： | 2021-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN113036153A | 公开（公告）日： | 2021-06-25 |
| 发明（设计）人： | 边秀房;杨映晖;王军长;孙辰翊 | 申请（专利权）人： | 山东大学 |
| 主分类号： | H01M4/66 | 分类号： | H01M4/66;H01M4/134;H01M10/0525;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 | 代理人： | 张宏松 |
| 地址： | 250199 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种诱导锂金属负极优先横向沉积的铜基集流体及其制备方法与应用，所述集流体在铜基箔片表面原位生长或异位修饰有氧化锌层和铜纳米片阵列，氧化锌层平铺在铜基箔片表面，铜纳米片阵列垂直穿过氧化锌层与铜基箔片基底连接。本发明的集流体致密的氧化锌层降低平行方向上的电荷密度，阻止锂金属在集流体垂直方向上的沉积生长。亲锂的铜纳米片阵列与氧化锌层协同作用，诱导锂金属优先横向沉积，抑制锂枝晶的产生，从而提高锂金属电池的安全性和循环寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 诱导 金属 负极 优先 横向 沉积 铜基集 流体 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
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