[发明专利]定向层状多孔SiC材料及其原位合成方法有效
| 申请号： | 202110231675.7 | 申请日： | 2021-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN112851395B | 公开（公告）日： | 2022-08-05 |
| 发明（设计）人： | 李元元;李七三;程晓敏 | 申请（专利权）人： | 武汉理工大学 |
| 主分类号： | C04B38/06 | 分类号： | C04B38/06;C04B35/565;C04B35/622;C04B35/64 |
| 代理公司： | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 | 代理人： | 张秋燕 |
| 地址： | 430070 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种定向层状多孔SiC材料及其原位合成方法。该材料是由原料硅、酚醛树脂、MoSi |
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| 搜索关键词： | 定向 层状 多孔 sic 材料 及其 原位 合成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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