[发明专利]高耐电压低损耗硅基薄膜电容器及其制备方法有效
| 申请号： | 202110202386.4 | 申请日： | 2021-02-22 |
| 公开（公告）号： | CN113012939B | 公开（公告）日： | 2022-09-09 |
| 发明（设计）人： | 余萍;刘运;丁明建;庄彤;黄彬彬;陈潇洋 | 申请（专利权）人： | 四川大学;广州天极电子科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01G4/33 | 分类号： | H01G4/33;H01G4/005;H01G4/30 |
| 代理公司： | 成都科海专利事务有限责任公司 51202 | 代理人： | 黄幼陵 |
| 地址： | 610065 四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： |
本发明所述高耐电压低损耗硅基薄膜电容器，从下至上依次由下电极‑低阻硅衬底‑电介质薄膜‑上电极组成并结合成一体，或者从下至上依次由下电极‑低阻硅衬底‑LaNiO |
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| 搜索关键词： | 高耐电 压低 损耗 薄膜 电容器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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