[发明专利]垂直可变电阻存储器件在审
| 申请号： | 202110202376.0 | 申请日： | 2021-02-23 |
| 公开（公告）号： | CN113299826A | 公开（公告）日： | 2021-08-24 |
| 发明（设计）人： | 早川幸夫;姜周宪;禹明勋;尹健郁;黄斗熙 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 屈玉华 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 垂直可变电阻存储器件包括栅电极和柱结构。栅电极在基本垂直于衬底的上表面的垂直方向上在衬底上彼此间隔开。柱结构在衬底上在垂直方向上延伸穿过栅电极。柱结构包括在垂直方向上延伸的垂直栅电极、设置在垂直栅电极的侧壁上的可变电阻图案、以及设置在可变电阻图案的外侧壁上的沟道。沟道和垂直栅电极彼此接触。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 可变 电阻 存储 器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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