[发明专利]蚀刻机台的刻蚀缺陷的检测方法在审
| 申请号： | 202110094612.1 | 申请日： | 2021-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN112902870A | 公开（公告）日： | 2021-06-04 |
| 发明（设计）人： | 孙玉乐 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | G01B11/24 | 分类号： | G01B11/24;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 王辉;阚梓瑄 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本公开提供了一种蚀刻机台的刻蚀缺陷的检测方法，属于半导体生产制造技术领域。该方法包括提供测试晶圆，所述测试晶圆包括衬底、第一介质层和第二介质层，所述第一介质层和所述第二介质层依次形成于所述衬底的顶表面，所述衬底内设置有电容接触结构；将所述测试晶圆传递至待测蚀刻机台内，刻蚀部分所述第二介质层和部分所述第一介质层，以形成电容孔；去除所述第二介质层，以形成量测晶圆；将所述量测晶圆传递至缺陷检测机台，检测所述量测晶圆的电容孔的形状；根据所述量测晶圆的电容孔的形状，确定所述待测蚀刻机台是否存在刻蚀缺陷。该方法简单便捷，可准确判断待测蚀刻机台是否存在刻蚀缺陷，提高对蚀刻机台的检测效率。 | ||
| 搜索关键词： | 蚀刻 机台 刻蚀 缺陷 检测 方法 | ||
【主权项】：
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