[发明专利]单晶铜的制备方法有效
| 申请号： | 202110075702.6 | 申请日： | 2021-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN112899768B | 公开（公告）日： | 2022-09-23 |
| 发明（设计）人： | 邹定鑫;田圳;张振生;赵悦;俞大鹏 | 申请（专利权）人： | 南方科技大学 |
| 主分类号： | C30B1/02 | 分类号： | C30B1/02;C30B29/02;C22F1/08;C22F1/02;C21D9/46 |
| 代理公司： | 深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414 | 代理人： | 郝文婷 |
| 地址： | 518000 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明属于材料技术领域，具体涉及一种单晶铜的制备方法。本发明单晶铜的制备方法中，通过将多晶铜置于石墨容器中进行退火处理，利用石墨容器的限域空间作用，将退火处理过程中的石英渣、灰尘颗粒等各种杂质隔离在石墨容器的外面，从而避免上述杂质对所得单晶铜造成杂质污染，不仅大大提高了所得单晶铜的表面洁净度和制备效率，而且可以获得大尺寸的单晶铜，使所得单晶铜具有更优异的性能。本发明提供的制备方法操作简单，无需对多晶铜进行复杂多样的表面预处理，有利于实现单晶铜的工业化制备。 | ||
| 搜索关键词： | 单晶铜 制备 方法 | ||
【主权项】：
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