[发明专利]用于自由形状的光学邻近校正在审

申请号：	202080107815.3	申请日：	2020-10-08
公开（公告）号：	CN116710843A	公开（公告）日：	2023-09-05
发明（设计）人：	G·P·利平科特;V·卢比希;K·萨卡吉尔	申请（专利权）人：	西门子工业软件有限公司
主分类号：	G03F1/70	分类号：	G03F1/70
代理公司：	华进联合专利商标代理有限公司 44224	代理人：	景怀宇
地址：	美国德***	国省代码：	暂无信息
权利要求书：	暂无信息	说明书：	暂无信息
摘要：	所公开的技术的各方面涉及用于将光学邻近校正应用于自由形状的技术。每个光学邻近校正迭代包括：基于从紧接在多个光学邻近校正迭代中的每一者之前的光学邻近校正迭代得出的边缘放置误差来计算用于直线片段的边缘调整值，基于所确定的边缘调整值来调整直线片段的位置，基于经调整的位置上的直线片段来确定布局特征的平滑边界线，对具有平滑边界线的布局特征执行模拟处理以确定布局特征的模拟图像，以及基于将布局特征的模拟图像与布局特征的目标图像进行比较来得出直线片段的边缘调整误差。
搜索关键词：	用于自由形状光学邻近校正
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专利分类

G 物理

G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备

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