[实用新型]气氛保护装置有效
| 申请号： | 202022647615.7 | 申请日： | 2020-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN213401110U | 公开（公告）日： | 2021-06-08 |
| 发明（设计）人： | 岑玮;靳清;姜亮;胡博;吴昊 | 申请（专利权）人： | 深圳市先进连接科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 深圳市恒程创新知识产权代理有限公司 44542 | 代理人： | 刘冰 |
| 地址： | 518101 广东省深圳市宝安区沙井街道后亭*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型公开一种气氛保护装置，其中，所述气氛保护装置包括壳体，所述壳体内部限定出与至少一个电子器件适配的密闭容腔，所述壳体上设有连通所述密闭容腔的真空孔和气孔，所述壳体具有传导部，所述传导部的材质为耐高温材质，且所述传导部的一端与所述密闭容腔连通，另一端与外界连通。本实用新型提供的技术方案，使得电子器件在烧结时能够处于保护气氛中，防止氧化；使用本气氛保护装置进行烧结时，电子器件位于密闭容腔内，烧结工艺涉及的其他机构处于大气环境中，避免了额外采用特殊材料制造用于容置其他机构的密闭空间，降低了制造成本，也减少了保护气体的消耗量，提高了生产效率。 | ||
| 搜索关键词： | 气氛 保护装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市先进连接科技有限公司，未经深圳市先进连接科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202022647615.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种用于景观互动的律动互动装置
- 下一篇：一种鸡舍湿度自动调节装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
