[实用新型]蚀刻机台装置有效
申请号: | 202022136615.0 | 申请日: | 2020-09-25 |
公开(公告)号: | CN212725232U | 公开(公告)日: | 2021-03-16 |
发明(设计)人: | 兰升友;柘涛;易熊军;杨富可;黄韬 | 申请(专利权)人: | 重庆康佳光电技术研究院有限公司 |
主分类号: | H01L21/306 | 分类号: | H01L21/306;H01L21/67 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 刘娜 |
地址: | 402760 重庆市璧*** | 国省代码: | 重庆;50 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型涉及一种蚀刻机台装置。蚀刻机台装置包括:机体,机体具有沿晶圆的移动方向依次设置的第一蚀刻槽、第二蚀刻槽和水槽;快门,快门为多个,第一蚀刻槽和第二蚀刻槽之间的槽壁上、第二蚀刻槽和水槽之间的槽壁上分别开设有槽壁开口,各槽壁开口处分别对应设置有一个能够平移滑动的快门,以遮挡或避让槽壁开口,以使晶圆能够穿过槽壁开口在第一蚀刻槽、第二蚀刻槽和水槽之间移动。本实用新型解决了现有技术中蚀刻机台的元器件易腐蚀以及各工作区间之间互相影响的问题。 | ||
搜索关键词: | 蚀刻 机台 装置 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造