[实用新型]一种电流放大器及单光子探测器

摘要

本申请属于半导体器件技术领域，提供了一种电流放大器及单光子探测器，所述电流放大器包括衬底、绝缘层、本征半导体、N型阳极掺杂区、N型阴极掺杂区、P型掺杂区、空穴吸收器、阳极电极、阴极电极以及接地电极，其中，绝缘层设于衬底上，本征半导体设于绝缘层上，N型阳极掺杂区和N型阴极掺杂区分别设于所述绝缘层表面、且位于所述本征半导体相对的两侧，P型掺杂区设于N型阴极掺杂区与本征半导体之间，阳极电极与N型阳极掺杂区连接，阴极电极与N型阴极掺杂区连接，接地电极与空穴吸收器连接，从而提高了器件增益，解决了现有的放大器存在的设计复杂、工作环境要求高以及放大倍数不理想的问题。