[实用新型]防飞溅罩盖和防飞溅电容有效
| 申请号： | 202020096362.6 | 申请日： | 2020-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN211045274U | 公开（公告）日： | 2020-07-17 |
| 发明（设计）人： | 王润申;林薏竹 | 申请（专利权）人： | 丰宾电子（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | H01G9/00 | 分类号： | H01G9/00;H01G9/12;H01G9/145 |
| 代理公司： | 深圳市韦恩肯知识产权代理有限公司 44375 | 代理人： | 黄昌平 |
| 地址： | 518106 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及电容器的技术领域，公开了防飞溅罩盖和防飞溅电容，其中防飞溅罩盖包括盖体，所述盖体具有内腔，所述盖体上开设有连通至所述内腔的泄压孔；所述内腔内设有散热结构，所述散热结构具有便于吸附电解液的多个孔洞结构；所述泄压孔内安装有用于释放气体的防爆塞，所述散热结构上开设有用于露出所述泄压孔的泄压通道。由于散热结构将电解液和气体分开，采用吸收电解液，释放气体的方式，使得电解液不会从电容器上方喷射而出，从而避免了电解液污染电路板导致短路的问题。而且盖体结构简单，无需特殊材质、结构，成本较低。 | ||
| 搜索关键词： | 飞溅 电容 | ||
【主权项】：
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- 本发明公开了叠层铝电容器的阴极区聚合方法及铝电容器的制备方法，涉及电容器技术领域。叠层铝电容器的阴极区聚合方法，包括将阴极导电基材进行多个操作周期的循环操作，每个操作周期至少包括依次进行一次浸渍、干燥、二次浸渍和聚合反应；其中，一次浸渍和二次浸渍均是采用单体溶液或氧化剂溶液进行浸渍，并通过一次浸渍和二次浸渍在阴极导电基材的表面引入单体溶液和氧化剂溶液；氧化剂溶液包括氧化剂、氧化剂溶剂和碱性中和剂；单体溶液包括单体和单体溶剂。发明人改进了氧化剂溶液的组成，通过加入碱性中和剂能够中和氧化剂在聚合过程中生成的酸，避免了介质氧化膜的腐蚀和产品漏电流增大现象的发生。
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- 李少卿;汪斌华 - 深圳市柏瑞凯电子科技股份有限公司
- 2020-07-27 - 2023-05-26 - H01G9/00
- 本发明公开了一种叠层片式固态铝电解电容器导电高分子阴极材料的制造方法，它是以3,4‑乙烯二氧噻吩(EDOT)作为导电高分子阴极材料的单体，采用氧化剂含浸、单体含浸和清洗等多次循环进行化学聚合制备而成，包括内部聚合物层形成和外部聚合物层形成两个过程。通过该技术方案制得的聚合物不仅导电率高，而且还具有很好的热稳定性。
- 固体电解电容器元件及固体电解电容器-202180060153.3
- 竹下昌利;小泽博美;张一涵;福井齐 - 松下知识产权经营株式会社
- 2021-07-15 - 2023-05-16 - H01G9/00
- 一种固体电解电容器元件，其具备：阳极体、形成于所述阳极体的表面的电介质层、以及覆盖所述电介质层的至少一部分的阴极部。所述阴极部具备覆盖所述电介质层的至少一部分的固体电解质层。所述固体电解质层包含：含有与噻吩化合物对应的单体单元的第1聚合物成分和含有聚合物阴离子的第2聚合物成分。在所述固体电解质层的表层的拉曼光谱中，观察到所述第1聚合物成分所特有的峰，通过使用所述固体电解电容器元件，能够将固体电解电容器的初始的ESR抑制为较低水平。
- 电解电容器用电极箔和电解电容器-202180060465.4
- 小川美和;栗原直美;吉村满久 - 松下知识产权经营株式会社
- 2021-07-15 - 2023-05-16 - H01G9/00
- 具备包含阀作用金属的基材和覆盖基材的表面的异种金属复合层。异种金属复合层包含第1金属和与第1金属不同的第2金属混存的混存区域。混存区域构成异种金属复合层的厚度方向的至少50％。通过使用混存区域的第1金属相对于全部金属的含有率M1和第2金属相对于全部金属的含有率M2分别为1原子％以上的电解电容器用电极箔，从而提供高性能和高可靠性的电解电容器。
- 一种多级的高比容的高压铝箔化成方法-202111144828.0
- 徐友龙;李一卓 - 西安交通大学
- 2021-09-28 - 2023-05-02 - H01G9/00
- 一种多级的高比容的高压铝箔化成方法，包括以下步骤：将适用于450‑700V的高压腐蚀铝箔水煮后铝箔连接在直流电源的正极端，负极选用铝箔，置于一级化成液中进行化成，再将铝箔连接在直流电源的正极端，负极选用铝箔，置于二级化成液中进行化成，再将铝箔连接在直流电源的正极端，负极选用铝箔，置于三级化成液中进行化成，热处理，置于补形成液中进行化成。根据不同的化成电压，选择不同的化成液进行多级化成，可以有效降低内阻消耗，减少副反应的发生，提高化成效率，降低化成的电量消耗。本发明的产品性能相比于传统方法有很大提升，漏电流降低19％以上，容量提升5％以上，电量消耗减少5％以上。
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