[发明专利]一种高纯二氧化锗的制备方法在审
| 申请号： | 202011620547.3 | 申请日： | 2020-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN112624180A | 公开（公告）日： | 2021-04-09 |
| 发明（设计）人： | 余树华;余青;张本聪;余凡 | 申请（专利权）人： | 云南五鑫实业有限公司 |
| 主分类号： | C01G17/02 | 分类号： | C01G17/02 |
| 代理公司： | 成都市鼎宏恒业知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 51248 | 代理人： | 胡璇 |
| 地址： | 650000 云南省*** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： |
本申请公开了一种高纯二氧化锗的制备方法，该方法以纯度99.0％～99.9％的二氧化锗为原料，通过采用优级纯以上的次亚磷酸钠作为为还原剂，在800℃～1050℃的条件下，在高纯石英还原炉内将二氧化锗还原成高纯一氧化锗气体后挥发进入高纯石英制成的氧化炉内，二氧化锗中的杂质残留于反应后的残留物中，从而使锗与其它大量的不挥发性杂质成分分离，再在石英氧化炉内通入高纯氧气(O |
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| 搜索关键词： | 一种 高纯 氧化 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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