[发明专利]发光二极管的外延片及其制备方法在审
| 申请号： | 202011609269.1 | 申请日： | 2020-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN112768575A | 公开（公告）日： | 2021-05-07 |
| 发明（设计）人： | 丁涛;龚程成;尹涌;梅劲 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/06;H01L33/12;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 吕耀萍 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： |
本公开提供了一种发光二极管的外延片及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该外延片包括衬底和依次形成在衬底上的高温AlN缓冲层、过渡层、n型AlGaN层、多量子阱层和p型层，过渡层包括依次层叠的第一周期结构、第二周期结构和第三周期结构，三个周期结构均包括交替层叠的AlN层和Al |
||
| 搜索关键词： | 发光二极管 外延 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华灿光电（浙江）有限公司，未经华灿光电（浙江）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202011609269.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种番茄复根系育苗方法
- 下一篇：一种管材拉伸机组的管材传送组件
