[发明专利]一种复合型pAlGaN电极接触层、深紫外LED外延片及其制备方法

摘要

本发明涉及一种复合型pAlGaN电极接触层、深紫外LED外延片及其制备方法，属于半导体外延材料结构技术领域，能够改善pGaN对于紫外光吸收比较严重，出光效率低的问题。本发明的复合型pAlGaN电极接触层，包括m+2个子层，至少一个子层由pAlxGa1‑xN/pAlyGa1‑yN交替生长k个循环而成，复合型pAlGaN生长过程中，Mg与Ⅲ族元素摩尔浓度比值为a，其中，m≥1，k≥1，x、y分别为AlxGa1‑xN、pAlyGa1‑yN的Al组分，每个循环中0＜y＜x＜1；x值、y值随子层数的增加而降低，a值随子层数的增加而升高。本发明的复合型pAlGaN电极接触层，使用组分渐变式超晶格结构，能够减少AlGaN晶格失配，减少AlGaN生长位错密度，提高结晶质量，解决pAlGaN的空穴浓度随Al组份增加而降低的问题。