[发明专利]一种相变存储器阵列的制备方法有效
| 申请号： | 202011534056.7 | 申请日： | 2020-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN112652714B | 公开（公告）日： | 2022-02-11 |
| 发明（设计）人： | 程晓敏;曾运韬;童浩;缪向水 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 武汉华之喻知识产权代理有限公司 42267 | 代理人： | 廖盈春;曹葆青 |
| 地址： | 430074 *** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明属于微电子器件及存储器技术领域，公开了一种相变存储器阵列的制备方法，具体包括：在衬底上沉积多层薄膜结构，其中包括底电极层、加热电极层、选通材料层、连接阻挡层、相变功能层。薄膜制备完成之后仅利用一次光刻工艺对底电极以上部分整体实现图案化，然后进行刻蚀、填充单元间电热隔离绝缘层，并通过额外一次光刻工艺制备分立的顶电极，得到底电极‑功能材料‑顶电极结构完整、可操作的相变存储器阵列。工艺流程中光刻工艺次数的减少，不仅可以降低生产过程中的成本，提高生产效率和成品率，同时二维平面单层器件的制备工艺的简化，可以极大改善三维存储器件的制备流程，从而实现将二维平面单层存储器在垂直方向上进行多层堆叠的三维存储器技术。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 相变 存储器 阵列 制备 方法 | ||
【主权项】：
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