[发明专利]人工晶体生长的温场调控装置和温场动态调控方法有效

专利信息
申请号: 202011521644.7 申请日: 2020-12-21
公开(公告)号: CN112795980B 公开(公告)日: 2022-05-20
发明(设计)人: 龙思卫;王彪;王文佳;林少鹏;朱允中;刘秩桦 申请(专利权)人: 中山大学
主分类号: C30B15/20 分类号: C30B15/20
代理公司: 广州骏思知识产权代理有限公司 44425 代理人: 吴静芝
地址: 510275 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明涉及一种人工晶体生长的温场调控装置。所述人工晶体生长的温场调控装置包括温场调节单元、控制单元以及电磁屏蔽结构。所述温场调节单元包括盖设在晶体溶液容器上方的保温盖,所述保温盖的侧壁上设置有垂直距离不同的散热窗,每个散热窗上都设有可改变散热窗孔洞大小的调节板;所述控制单元根据当前温度信息、电源功率信息以及晶体直径信息,实时调整各调节板的开合方向及速度,实现晶体生长温场的动态调整;所述电磁屏蔽结构消除电磁场对装置的负面影响。本发明保证了高品质大尺寸人工光电单晶的稳定生长,并显著降低单晶生长的电能消耗,具有很强的应用价值。
搜索关键词: 人工 晶体生长 调控 装置 动态 方法
【主权项】:
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