[发明专利]硅-旋磁铁氧体嵌套结构及其制作方法有效
| 申请号： | 202011485464.8 | 申请日： | 2020-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN112234330B | 公开（公告）日： | 2021-07-13 |
| 发明（设计）人： | 林亚宁;赖金明;周俊;倪经;陈学平;李林玲;吴燕辉;徐德超 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第九研究所 |
| 主分类号： | H01P1/36 | 分类号： | H01P1/36;H01P1/38;H01P11/00 |
| 代理公司： | 绵阳市博图知识产权代理事务所(普通合伙) 51235 | 代理人： | 黎仲 |
| 地址： | 621000 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了硅‑旋磁铁氧体嵌套结构，属于微波集成器件微加工领域，包括硅腔体和嵌入至所述硅腔体内的旋磁铁氧体，其特征在于：在所述旋磁铁氧体的侧面和下表面设置有金属薄膜粘附层，并在所述金属薄膜粘附层上设置有氮化硅薄膜层；本发明还公开了上述嵌套结构的制作方法，包括旋磁铁氧体超声清洗、在旋磁铁氧体上表面和侧面溅射一层金属薄膜粘附层；本发明在高温或者温度冲击的过程中，可以保证硅与旋磁铁氧体热膨胀不会失配，保证MEMS硅基腔体环行器/隔离器器件的可靠性，硅与旋磁铁氧体嵌套结构发生热膨胀失配的可能性大大降低，嵌套结构热稳定性提高，满足MEMS硅基腔体环行器/隔离器器件对可靠性的要求。 | ||
| 搜索关键词： | 磁铁 嵌套 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国电子科技集团公司第九研究所，未经中国电子科技集团公司第九研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202011485464.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种适用于金属制品的冲压设备
- 下一篇：一种地铁客流量预测方法及装置
