[发明专利]一种自极化复合驻极体-压电薄膜、其制备方法及压电薄膜传感器有效
| 申请号： | 202011485108.6 | 申请日： | 2020-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN112606509B | 公开（公告）日： | 2023-06-27 |
| 发明（设计）人： | 姚沛林;王盛凯;占敏杰;王英辉 | 申请（专利权）人： | 昆山微电子技术研究院 |
| 主分类号： | B32B27/32 | 分类号： | B32B27/32;B32B27/28;B32B27/08;B32B33/00;B32B37/10;B32B37/06;B32B37/24;B32B38/00;B32B38/16;G01L1/16;G01L9/08 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 付丽 |
| 地址： | 215347 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种自极化复合驻极体‑压电薄膜的制备方法，通过精确的温度控制和较强的电场，在薄膜熔化重新结晶阶段施加外电场，诱导β型PVDF晶体的生成；选用高分子驻极体衬底材料，在对PVDF极化的同时对驻极体衬底进行极化，将电荷注入衬底中，驻极体材料会在较长时间内带有电荷，两块衬底之间形成的电场可以实现对PVDF的长期极化，可以修复在使用中退极化的PVDF晶体，同时为PVDF薄膜提供封装方案和机械强度。本发明还提供了一种自极化复合驻极体‑压电薄膜的制备方法及压电薄膜传感器。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 极化 复合 驻极体 压电 薄膜 制备 方法 传感器 | ||
【主权项】：
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