[发明专利]一种快速除去杂质硒制备高纯二氧化碲粉末的方法有效

专利信息
申请号: 202011444039.4 申请日: 2020-12-08
公开(公告)号: CN112479163B 公开(公告)日: 2022-07-01
发明(设计)人: 蒋文龙;黄大鑫;杨斌;刘大春;徐宝强;查国正;李一夫;田阳;李志超;孔令鑫;王飞;陈秀敏;杨红卫;曲涛;郁青春;熊恒;孔祥峰 申请(专利权)人: 昆明理工大学
主分类号: C01B19/04 分类号: C01B19/04
代理公司: 北京高沃律师事务所 11569 代理人: 王术娜
地址: 650093 云南省*** 国省代码: 云南;53
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摘要: 发明提供了一种快速除去杂质硒制备高纯二氧化碲粉末的方法,属于冶金技术领域。本发明将真空密闭立式闪速炉抽至真空状态;以上部进料的方式向所述真空状态的真空密闭立式闪速炉中加入待提纯碲粉,以下部进气的方式将氧气通入所述真空状态的真空密闭立式闪速炉,所述氧气与待提纯碲粉在密闭立式闪速炉中形成对流发生气固反应,生成二氧化碲粉末和二氧化硒;所述二氧化碲粉末在重力的作用下,落入生成物收集仓;所述二氧化硒升华进入挥发物收集仓;所述气固反应的温度为320~420℃;所述真空状态的压强为2~10Pa。本发明制备二氧化碲粉末流程短、硒去除率高、效率高、粉尘污染小、成本低、制备的二氧化碲粉纯度大于99.99%。
搜索关键词: 一种 快速 除去 杂质 制备 高纯 氧化 粉末 方法
【主权项】:
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