[发明专利]基于串联结构的高稳定多阻态忆阻器及其制备方法在审
| 申请号： | 202011357101.6 | 申请日： | 2020-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN112490358A | 公开（公告）日： | 2021-03-12 |
| 发明（设计）人： | 韩传余;方胜利;安磊;刘卫华;韩峥嵘;张骐智;王小力 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24 |
| 代理公司： | 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 | 代理人： | 王少文 |
| 地址： | 710049 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： |
本发明提出基于串联结构的高稳定多阻态忆阻器及其制备方法，以解决现有多阻态忆阻器性能不稳定、阻变机理不明晰、可重复性不高的技术问题。该多阻态忆阻器包括上电极、阻变层及下电极，其中，阻变层包括2‑8层单忆阻器堆叠结构，层间采用惰性金属材料作为阻挡层；基于导电细丝型忆阻器堆叠结构采用导电细丝型阻变材料，基于氧化还原反应型忆阻器堆叠结构采用富氧层阻变材料和活性金属材料。多阻态忆阻器中，导电细丝型阻变材料采用HfO |
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| 搜索关键词： | 基于 串联 结构 稳定 多阻态忆阻器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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