[发明专利]一种基于MLC STT-RAM的能耗特性的缓存替换方法及设备有效

专利信息
申请号: 202011307513.9 申请日: 2020-11-20
公开(公告)号: CN112395221B 公开(公告)日: 2023-02-10
发明(设计)人: 陈俭喜;冯丹;马莉珍;郑梦丽;陈鑫宇;陈彧;黄创 申请(专利权)人: 华中科技大学
主分类号: G06F12/122 分类号: G06F12/122;G06F12/123;G06F12/0897
代理公司: 华中科技大学专利中心 42201 代理人: 李智
地址: 430074 湖北*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明公开了一种基于MLC STR‑RAM的能耗特性的缓存替换方法及设备,属于计算机存储技术领域,MLC STT‑RAM作为系统主存,方法包括:在末级缓存中发生缓存替换时,根据预设的N种缓存替换算法分别计算末级缓存中各缓存块的N个指标,分别记为对应缓存块的第一个指标、第二个指标……第N个指标,并分别预估各缓存块中的数据下刷回主存产生的回写能耗,作为对应缓存块的第N+1个指标;对各缓存块的N+1个指标进行综合评判,以选取被淘汰的缓存块,作为目标缓存块;其中,N为大于等于1的整数;N种缓存替换算法中,各缓存替换算法均根据单一的指标选取被淘汰的缓存块,且不同缓存替换算法的指标不同。本发明能够有效减少MLC STT‑RAM主存的回写能耗。
搜索关键词: 一种 基于 mlc stt ram 能耗 特性 缓存 替换 方法 设备
【主权项】:
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