[发明专利]晶圆产品源漏退火工艺的监控方法在审
| 申请号： | 202011291535.0 | 申请日： | 2020-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN112420541A | 公开（公告）日： | 2021-02-26 |
| 发明（设计）人： | 姜兰;成鑫华;沈耀庭 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 201315 上海市浦东新区中国（上*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种晶圆产品源漏退火工艺的监控方法，包括：步骤一、在当前晶圆上设置多个测试单元，在当前晶圆上完成晶圆产品的源漏注入，源漏注入也同时注入到测试单元中；步骤二、采用应力记忆技术形成一层应力氮化硅；步骤三、进行源漏退火工艺；步骤四、去除应力氮化硅层；步骤五、测试多个测试单元的方块电阻并形成当前晶圆上的测试单元方块电阻面内分布并进而得到源漏退火工艺在当前晶圆上的当前晶圆温度面内分布；步骤六、根据当前晶圆温度面内分布调整晶圆产品的源漏退火工艺以提高下一晶圆温度面内分布的均匀性。本发明能及时对源漏退火工艺的温度面内分布进行监控，能提高晶圆产品的电阻和工作电流的均匀度，提高晶圆产品良率。 | ||
| 搜索关键词： | 产品 退火 工艺 监控 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华力集成电路制造有限公司，未经上海华力集成电路制造有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202011291535.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：金属栅半导体器件及其制造方法
- 下一篇：一种纺织染色用压纹设备
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
