[发明专利]850nm波段吸收区部分耗尽光电探测器及其制备方法

摘要

本发明公开了一种850nm波段吸收区部分耗尽光电探测器及其制备方法。所述光电探测器包括半导体主体、阴极、阳极、钝化薄膜、且该两个金属电极的表面与共面波导电极连接；半导体主体的结构包括依次复合的半绝缘GaAs衬底、缓冲层、阴极接触层、过渡层、耗尽GaAs吸收层、非耗尽GaAs吸收层、覆盖层、阳极接触层。制备方法为：在半绝缘GaAs衬底上依次生长出阴极接触层缓冲层、阴极接触层、过渡层等制得半导体主体；制备环形阳极、第一层台阶、阴极、第二台阶、钝化薄膜、共面波导电极。本发明可以工作于850nm波段，具有低暗电流、高响应度、高响应带宽的特点，能够满足850nm波段短距离光互联系统的需求。