[发明专利]降低图像传感器表面暗电流的方法及图像传感器在审

专利信息
申请号: 202011207998.4 申请日: 2020-11-03
公开(公告)号: CN112117292A 公开(公告)日: 2020-12-22
发明(设计)人: 黄文军;陈世杰;唐昭焕;张斌 申请(专利权)人: 联合微电子中心有限责任公司
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146
代理公司: 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 代理人: 孙佳胤
地址: 401332 重庆*** 国省代码: 重庆;50
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摘要: 发明提供了一种降低图像传感器表面暗电流的方法及图像传感器。所述方法包括如下步骤:在图像传感器表面生长一界面修复层,所述界面修复层采用氧化物材料;在界面修复层表面生长一电荷俘获层,所述电荷俘获层采用高介电常数材料,用以对传感器表面进行电荷捕获;在电荷俘获层表面生长一金属氧化物层,所述金属氧化物层的材料特性是吉布斯自由能高于传感器表面元素氧化物的吉布斯自由能;退火。上述技术方案能够降低图像传感器的表面暗电流,减小图像传感器的噪点,显著提高成像质量。
搜索关键词: 降低 图像传感器 表面 电流 方法
【主权项】:
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