[发明专利]一种硅基超宽谱光子吸收器及其制备方法在审
申请号: | 202011193847.8 | 申请日: | 2020-10-30 |
公开(公告)号: | CN112201705A | 公开(公告)日: | 2021-01-08 |
发明(设计)人: | 吴绍龙;詹纯 | 申请(专利权)人: | 苏州斯特科光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/0232;H01L31/0352;H01L31/0236;H01L31/108;H01L31/18;B82Y15/00;B82Y40/00 |
代理公司: | 苏州智品专利代理事务所(普通合伙) 32345 | 代理人: | 王利斌 |
地址: | 215151 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明属纳米光子学领域,为解决现有技术中硅基光学和光电器件不能在紫外、可见到近红外波段实现高效吸收的技术问题,提出一种硅基超宽谱光子吸收器及其制备方法,包括第一金属薄膜层、第一无序纳米碗阵列层、硅基底、第二无序硅纳米碗阵列层、第二金属薄膜层;双面无序金属/硅纳米碗阵列的复合结构,可以将200~2500nm波段范围内的入射光子进行大于80%的高效吸收,且对入射光的偏振和角度不敏感,在光电探测与反探测、太阳能电池和光电传感等领域具有广泛应用前景。 | ||
搜索关键词: | 一种 硅基超宽谱 光子 吸收 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的